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品类: MOS管描述: PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。57391-9￥95.703010-99￥91.5420100-249￥90.7930250-499￥90.2105500-999￥89.29511000-2499￥88.87902500-4999￥88.2964≥5000￥87.7971 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD4141 晶体管, P沟道643110-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: P沟道 100V 4.9A416710-49￥0.850550-99￥0.8064100-299￥0.7749300-499￥0.7560500-999￥0.73711000-2499￥0.71822500-4999￥0.6899≥5000￥0.6836 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6637 晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -35 V, 9.7 mohm, -10 V, -1.6 V56121-9￥65.159010-99￥62.3260100-249￥61.8161250-499￥61.4194500-999￥60.79621000-2499￥60.51292500-4999￥60.1163≥5000￥59.7763 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05SM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V66375-24￥3.537025-49￥3.275050-99￥3.0916100-499￥3.0130500-2499￥2.96062500-4999￥2.89515000-9999￥2.8689≥10000￥2.8296 -
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品类: MOS管描述: 11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs20115-24￥2.362525-49￥2.187550-99￥2.0650100-499￥2.0125500-2499￥1.97752500-4999￥1.93385000-9999￥1.9163≥10000￥1.8900 -
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品类: MOS管描述: N沟道 60V 4A76265-24￥1.755025-49￥1.625050-99￥1.5340100-499￥1.4950500-2499￥1.46902500-4999￥1.43655000-9999￥1.4235≥10000￥1.4040 -
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品类: MOS管描述: P沟道 50V 8A28925-24￥1.971025-49￥1.825050-99￥1.7228100-499￥1.6790500-2499￥1.64982500-4999￥1.61335000-9999￥1.5987≥10000￥1.5768
